Val av idealisk laserkälla: Edge Emission Semiconductor Laser Part Two

Val av IdealLaserkälla: KantutsläppHalvledarlaserDel två

4. Appliceringsstatus för kant-emission halvledarlasrar
På grund av dess breda våglängdsområde och höga effekt har kantutsändande halvledarlasrar framgångsrikt använts inom många områden som bilindustrin, optisk kommunikation ochlaserläkarvård. Enligt Yole Developpement, en internationellt känd marknadsundersökningsbyrå, kommer edge-to-emit lasermarknaden att växa till 7,4 miljarder USD 2027, med en sammansatt årlig tillväxttakt på 13 %. Denna tillväxt kommer att fortsätta att drivas av optisk kommunikation, såsom optiska moduler, förstärkare och 3D-avkänningsapplikationer för datakommunikation och telekommunikation. För olika applikationskrav har olika EEL-strukturdesignscheman utvecklats i branschen, inklusive: Fabripero (FP) halvledarlasrar, distribuerade Bragg Reflector (DBR) halvledarlasrar, externa kavitetslaser (ECL) halvledarlasrar, distribuerade återkopplingshalvledarlasrar (DFB laser), kvantkaskadhalvledarlasrar (QCL) och bredarea laserdioder (BALD).

Med den ökande efterfrågan på optisk kommunikation, 3D-avkänningsapplikationer och andra områden ökar också efterfrågan på halvledarlasrar. Dessutom spelar kant-emitterande halvledarlasrar och vertikalkavitets ytemitterande halvledarlasrar också en roll för att fylla varandras brister i nya applikationer, som:
(1) Inom området för optisk kommunikation används 1550 nm InGaAsP/InP Distributed Feedback ((DFB-laser) EEL och 1300 nm InGaAsP/InGaP Fabry Pero EEL vid överföringsavstånd på 2 km till 40 km och överföringshastigheter upp till 40 Gbps På 60 m till 300 m överföringsavstånd och lägre överföringshastigheter är dock VCsels baserade på 850 nm InGaAs och AlGaAs dominerande.
(2) Vertikal kavitets ytemitterande lasrar har fördelarna med liten storlek och smal våglängd, så de har använts i stor utsträckning på marknaden för konsumentelektronik, och fördelarna med ljusstyrka och effekt med kantemitterande halvledarlasrar banar väg för fjärranalysapplikationer och hög effekt bearbetning.
(3) Både kantutsändande halvledarlasrar och ytemitterande halvledarlasrar med vertikal kavitet kan användas för kort- och medeldistans liDAR för att uppnå specifika applikationer som detektering av döda vinklar och körfältsavvikelse.

5. Framtida utveckling
Den kantemitterande halvledarlasern har fördelarna med hög tillförlitlighet, miniatyrisering och hög ljuseffekttäthet, och har breda tillämpningsmöjligheter inom optisk kommunikation, liDAR, medicinska och andra områden. Men även om tillverkningsprocessen för kantemitterande halvledarlasrar har varit relativt mogen, för att möta den växande efterfrågan från industri- och konsumentmarknaderna på kantemitterande halvledarlasrar, är det nödvändigt att kontinuerligt optimera tekniken, processen, prestanda och andra aspekter av kant-emitterande halvledarlasrar, inklusive: reducering av defektdensiteten inuti skivan; Minska processprocedurer; Utveckla ny teknik för att ersätta den traditionella slipskivan och skärprocesserna för skivor som är benägna att introducera defekter; Optimera den epitaxiella strukturen för att förbättra effektiviteten hos kantutsändande laser; Minska tillverkningskostnader etc. Eftersom det utgående ljuset från den kantemitterande lasern är på sidokanten av halvledarlaserchippet är det dessutom svårt att uppnå små chipförpackningar, så den relaterade förpackningsprocessen måste fortfarande göras ytterligare brutit igenom.